一、工作職責
1、BGBM工藝開發(fā)與優(yōu)化
主導BGBM(Back Grinding & Bumping,晶圓背面研磨與凸塊工藝)技術開發(fā)與工藝優(yōu)化,提升晶圓減薄精度、凸塊均勻性及可靠性,滿足功率器件(如IGBT、SiC MOSFET)封裝需求。
制定工藝參數(shù)標準(如研磨厚度、表面粗糙度、凸塊高度/間距),確保符合車規(guī)級(AEC-Q101)及高可靠性要求。
2、生產(chǎn)管理與良率提升
監(jiān)控BGBM工序良率(如減薄崩邊率、凸塊空洞率),主導DOE實驗與根因分析,推動工藝穩(wěn)定性提升與缺陷率降低;
建立SPC過程控制體系,實時跟蹤關鍵指標(如晶圓翹曲度、凸塊剪切力),確保量產(chǎn)一致性。
3、設備與成本管控
負責BGBM核心設備(如研磨機、光刻機、電鍍設備)的選型、維護及效能優(yōu)化,制定預防性保養(yǎng)計劃,降低設備故障率;
推動材料(如研磨砂輪、光刻膠、電鍍液)成本優(yōu)化與供應商協(xié)同降本。
4、承擔工藝方面工作
負責工藝調(diào)試和驗證、實施驗證方案,及時處理現(xiàn)場異常并進行持續(xù)改進;
建立完善工藝類體系文件并培訓相關人員。
5、團隊建設與標準化
組建并培養(yǎng)BGBM工藝技術團隊,制定操作規(guī)范(SOP)與培訓體系,提升團隊技術能力;
推動工藝知識庫建設,沉淀技術經(jīng)驗并參與行業(yè)標準制定。
二、任職要求
1、學歷與專業(yè)
本科及以上學歷,微電子、材料科學、機械工程等理工類相關專業(yè);
2、經(jīng)驗要求
5年以上功率器件封裝或功率器件晶圓制造經(jīng)驗,3年以上BGBM工藝開發(fā)及團隊管理經(jīng)驗;
主導過8英寸/12英寸晶圓BGBM量產(chǎn)項目,熟悉功率器件或第三代半導體(SiC/GaN)工藝挑戰(zhàn)者優(yōu)先;
3、對BGBM工藝知識必須掌握,熟悉常見異常及相關原因及改善方案;
4、熟悉OCAP、8D、PFMEA等相關質(zhì)量工具并進行熟練運用;
5、具備基本的設備維修知識及設備故障判斷技能,能維修恢復一般性的設備故障問題;
6、掌握產(chǎn)線常見風險點和失效模式;
7、熟悉材料特性對產(chǎn)品的影響,尤其是蒸發(fā)材料等;
8、具備基本的產(chǎn)線安全常識,對于工序、設備及化學品安全均有儲備;
9、了解熟悉區(qū)域產(chǎn)品的特性及關鍵控制點;
10、具備識圖能力和工藝流程設計、優(yōu)化能力;
11、熟悉工序制程與關鍵管控點;
12、新材料、新設備的導入驗證與加工評估能力;
13、關注細節(jié)和質(zhì)量控制的能力;
14、創(chuàng)新思維,能在現(xiàn)有設備及工藝基礎上進行創(chuàng)新,提出改進方案。