一、工作職責(zé)
1、BGBM工藝開發(fā)與優(yōu)化
主導(dǎo)BGBM(Back Grinding & Bumping,晶圓背面研磨與凸塊工藝)技術(shù)開發(fā)與工藝優(yōu)化,提升晶圓減薄精度、凸塊均勻性及可靠性,滿足功率器件(如IGBT、SiC MOSFET)封裝需求。
制定工藝參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)(如研磨厚度、表面粗糙度、凸塊高度/間距),確保符合車規(guī)級(jí)(AEC-Q101)及高可靠性要求。
2、生產(chǎn)管理與良率提升
監(jiān)控BGBM工序良率(如減薄崩邊率、凸塊空洞率),主導(dǎo)DOE實(shí)驗(yàn)與根因分析,推動(dòng)工藝穩(wěn)定性提升與缺陷率降低;
建立SPC過程控制體系,實(shí)時(shí)跟蹤關(guān)鍵指標(biāo)(如晶圓翹曲度、凸塊剪切力),確保量產(chǎn)一致性。
3、設(shè)備與成本管控
負(fù)責(zé)BGBM核心設(shè)備(如研磨機(jī)、光刻機(jī)、電鍍?cè)O(shè)備)的選型、維護(hù)及效能優(yōu)化,制定預(yù)防性保養(yǎng)計(jì)劃,降低設(shè)備故障率;
推動(dòng)材料(如研磨砂輪、光刻膠、電鍍液)成本優(yōu)化與供應(yīng)商協(xié)同降本。
4、承擔(dān)工藝方面工作
負(fù)責(zé)工藝調(diào)試和驗(yàn)證、實(shí)施驗(yàn)證方案,及時(shí)處理現(xiàn)場(chǎng)異常并進(jìn)行持續(xù)改進(jìn);
建立完善工藝類體系文件并培訓(xùn)相關(guān)人員。
5、團(tuán)隊(duì)建設(shè)與標(biāo)準(zhǔn)化
組建并培養(yǎng)BGBM工藝技術(shù)團(tuán)隊(duì),制定操作規(guī)范(SOP)與培訓(xùn)體系,提升團(tuán)隊(duì)技術(shù)能力;
推動(dòng)工藝知識(shí)庫(kù)建設(shè),沉淀技術(shù)經(jīng)驗(yàn)并參與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定。
二、任職要求
1、學(xué)歷與專業(yè)
本科及以上學(xué)歷,微電子、材料科學(xué)、機(jī)械工程等理工類相關(guān)專業(yè);
2、經(jīng)驗(yàn)要求
5年以上功率器件封裝或功率器件晶圓制造經(jīng)驗(yàn),3年以上BGBM工藝開發(fā)及團(tuán)隊(duì)管理經(jīng)驗(yàn);
主導(dǎo)過8英寸/12英寸晶圓BGBM量產(chǎn)項(xiàng)目,熟悉功率器件或第三代半導(dǎo)體(SiC/GaN)工藝挑戰(zhàn)者優(yōu)先;
3、對(duì)BGBM工藝知識(shí)必須掌握,熟悉常見異常及相關(guān)原因及改善方案;
4、熟悉OCAP、8D、PFMEA等相關(guān)質(zhì)量工具并進(jìn)行熟練運(yùn)用;
5、具備基本的設(shè)備維修知識(shí)及設(shè)備故障判斷技能,能維修恢復(fù)一般性的設(shè)備故障問題;
6、掌握產(chǎn)線常見風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)和失效模式;
7、熟悉材料特性對(duì)產(chǎn)品的影響,尤其是蒸發(fā)材料等;
8、具備基本的產(chǎn)線安全常識(shí),對(duì)于工序、設(shè)備及化學(xué)品安全均有儲(chǔ)備;
9、了解熟悉區(qū)域產(chǎn)品的特性及關(guān)鍵控制點(diǎn);
10、具備識(shí)圖能力和工藝流程設(shè)計(jì)、優(yōu)化能力;
11、熟悉工序制程與關(guān)鍵管控點(diǎn);
12、新材料、新設(shè)備的導(dǎo)入驗(yàn)證與加工評(píng)估能力;
13、關(guān)注細(xì)節(jié)和質(zhì)量控制的能力;
14、創(chuàng)新思維,能在現(xiàn)有設(shè)備及工藝基礎(chǔ)上進(jìn)行創(chuàng)新,提出改進(jìn)方案。