工作職責(zé):
1、負責(zé)750V/1200V/1700V IGBT模塊的IGBT晶圓設(shè)計:負責(zé)對接IGBT模塊研發(fā)部門,根據(jù)其需求進行IGBT晶圓立項開發(fā),并根據(jù)需求與TD部門溝通工藝,完成仿真,版圖設(shè)計,DOE設(shè)計,流片驗證,可靠性驗證,分析產(chǎn)品特性根據(jù)AE的評估結(jié)果或者客戶的問題反饋進行器件優(yōu)化
2、負責(zé)工程實驗規(guī)劃、進度追蹤、產(chǎn)品失效分析及改善,撰寫整理實驗報告及改進措施
3、負責(zé)新項目的技術(shù)可行性評估,與AE組/TD組/模塊組的相關(guān)技術(shù)溝通,內(nèi)部溝通協(xié)調(diào)工程資源,按照項目開發(fā)計劃推動落實。細化新產(chǎn)品項目開發(fā)細化、執(zhí)行、監(jiān)督,協(xié)調(diào),確保各項目節(jié)點按時交付
4、當(dāng)負責(zé)的芯片在模塊上發(fā)生問題時,協(xié)助模塊部門進行失效分析以及異常排查工作
3300V工程師工作職責(zé):
1、負責(zé)3300V及以上電壓IGBT模塊的IGBT晶圓設(shè)計:負責(zé)對接IGBT模塊研發(fā)部門,根據(jù)其需求進行IGBT晶圓立項開發(fā),并根據(jù)需求與TD部門溝通工藝,完成原胞和終端設(shè)計,DOE設(shè)計,流片驗證,可靠性驗證,根據(jù)模塊研發(fā)部的問題反饋進行器件優(yōu)化。
2、負責(zé)工程實驗規(guī)劃、進度追蹤、產(chǎn)品失效分析及改善,撰寫整理實驗報告及改進措施
3、根據(jù)項目需求,可以進行1200V/1700V部分項目的IGBT晶圓開發(fā)和項目推進
4、當(dāng)負責(zé)的芯片在模塊上發(fā)生問題時,協(xié)助模塊部門進行失效分析以及異常排查工作
任職資格:
1、碩士及以上學(xué)歷,微電子、物理、電子科學(xué)與技術(shù)等半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè),5年以上半導(dǎo)體相關(guān)工作經(jīng)驗,具備模塊晶圓設(shè)計項目經(jīng)歷。參與過IGBT7晶圓設(shè)計人員優(yōu)先
2、可以獨立開發(fā)產(chǎn)品,能勝任benchmark分析到版圖設(shè)計,DOE,CP測試規(guī)范,產(chǎn)品評估,工程批報告撰寫,需要推進產(chǎn)品項目,匯報項目進展
3、可以負責(zé)車規(guī)IGBT晶圓開發(fā),有車規(guī)IGBT晶圓設(shè)計項目經(jīng)歷(或者大功率模塊項目也可以)
4、熟練使用Sentaurus 等TCAD仿真軟件
3300V工程師任職資格
1、碩士及以上學(xué)歷,微電子、物理、電子科學(xué)與技術(shù)等半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè),5年以上半導(dǎo)體相關(guān)工作經(jīng)驗,具備模塊晶圓設(shè)計項目經(jīng)歷。
2、可以進行3300V/4500V/6500V等高壓IGBT產(chǎn)品設(shè)計,具備其中一個電壓等級的項目開發(fā)經(jīng)歷
3、能夠撰寫3300V等重大項目匯報報告,熟練使用Sentaurus 等TCAD仿真軟件