普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司是專注于汽車、工業(yè)及消費(fèi)類應(yīng)用的超低功耗Flash存儲(chǔ)器、高安全Flash存儲(chǔ)器、高可靠性EEPROM存儲(chǔ)器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高性能磁傳感芯片的無自有晶圓廠半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司。公司成立于2012年,總部位于上海張江高科技園區(qū),在深圳南山科技園新區(qū)設(shè)有銷售和現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用服務(wù)與支持中心。
作為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)新者,普冉推出業(yè)界領(lǐng)先的55nm超低功耗NOR Flash Memory,具備100nA休眠功耗和小于5mA擦寫讀功耗,廣泛用于IoT、手持、OLED屏、穿戴、安防、PC、家電、太陽能和車載娛樂領(lǐng)域。
新一代110nm非易失性EEPROM存儲(chǔ)器具備國內(nèi)領(lǐng)先的400萬次擦寫壽命、6KV靜電防護(hù)能力、極低的工作電流和靜態(tài)功耗,在智能電網(wǎng)、汽車前裝、工業(yè)控制領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
普冉配合國內(nèi)領(lǐng)先半導(dǎo)體企業(yè)開發(fā)的40-55nm高安全Flash產(chǎn)品也成為國內(nèi)金融IC產(chǎn)品打破國外壟斷的先行者和貢獻(xiàn)者。
普冉致力于成為世界領(lǐng)先的利基市場(chǎng)非易失存儲(chǔ)器芯片及新型存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)公司。