崗位職責:
1.負責 12 寸晶圓 IGBT 器件全流程研發(fā),包括器件結(jié)構(gòu)設(shè)計、TCAD 仿真、版圖設(shè)計、流片對接與良率提升;
2.基于 12 寸工藝平臺,完成IGBT/FRD 芯片的參數(shù)定義、結(jié)構(gòu)優(yōu)化與電學性能迭代;
3.獨立完成 TCAD 器件仿真(Sentaurus/Silvaco)、寄生參數(shù)提取、電場 / 溫度場優(yōu)化,輸出可靠設(shè)計方案;
4.主導 12 寸工藝對接,與TD/PIE 協(xié)同完成 DOE、工藝窗口驗證、流片問題分析與改善;
制定芯片的電學參數(shù)測試方案,分析測試數(shù)據(jù),評估器件性能;
5.參與器件的特性測試、可靠性測試及失效分析,撰寫詳細的設(shè)計報告、工藝規(guī)范和技術(shù)文檔。
任職要求:
1.碩士及以上學歷,微電子 / 半導體 / 電力電子相關(guān)專業(yè),5年以上從芯片設(shè)計、流片、量產(chǎn)的IGBT器件/模塊實際研發(fā)項目經(jīng)驗;
2.精通 IGBT 器件物理與工作機理,熟練使用 TCAD 仿真軟件與版圖設(shè)計工具;
3.熟悉功率器件工藝流程、CP/FT測試、可靠性標準(JEDEC / AEC-Q101)與失效分析方法;
4.邏輯清晰、執(zhí)行力強,能與晶圓廠、封裝、應用團隊高效協(xié)同;
5.英語能力:四級及以上。
工作地點:無錫或合肥