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更新于 9月12日
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舉報(bào)

TD 外延工藝研發(fā)工程師(J10605)

1.5-3萬(wàn)·15薪
  • 武漢江夏區(qū)
  • 1-3年
  • 碩士
  • 全職
  • 招1人

職位描述

外延工藝
崗位職責(zé):
1.根據(jù)外延器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行外延生長(zhǎng)工藝的研發(fā)；
2.負(fù)責(zé)外延生長(zhǎng)recipe的開發(fā)；
3.根據(jù)材料測(cè)試與器件的電性反饋結(jié)果，進(jìn)行外延工藝的迭代優(yōu)化；
4.根據(jù)外延研發(fā)結(jié)果進(jìn)行實(shí)驗(yàn)方案設(shè)計(jì)；
5.外延研發(fā)項(xiàng)目的執(zhí)行與推進(jìn)；
6.負(fù)責(zé)外延研發(fā)過(guò)程產(chǎn)生的數(shù)據(jù)、工藝技術(shù)文件等資料的整理、定期歸檔等工作；
7.相關(guān)的國(guó)內(nèi)外專利等知識(shí)產(chǎn)權(quán)撰寫與申請(qǐng)，協(xié)助進(jìn)行科研項(xiàng)目的申報(bào)；
8.領(lǐng)導(dǎo)交代的其他任務(wù)。
任職要求:
1.學(xué)歷專業(yè)：微電子、固體物理、材料、半導(dǎo)體等相關(guān)專業(yè)碩士及以上學(xué)歷；
2.工作經(jīng)驗(yàn)：具有2年以上的化合物半導(dǎo)體材料與器件外延生長(zhǎng)經(jīng)驗(yàn)，具有SiC/GaN外延經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先；
3.知識(shí)技能：熟悉aixtion愛思強(qiáng)外延設(shè)備，熟悉SiC相關(guān)的材料與器件測(cè)試(缺陷掃描、CV、FTIR、AFM、面型參數(shù)檢測(cè)、SEM、SIMS等)；
4.素質(zhì)：具備英語(yǔ)溝通交流與書寫能力，學(xué)習(xí)能力強(qiáng)，責(zé)任心強(qiáng)，良好的團(tuán)隊(duì)合作精神、較強(qiáng)的執(zhí)行力。

工作地點(diǎn)

江夏區(qū)武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)(長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體)

職位發(fā)布者

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長(zhǎng)飛先進(jìn)是一家專注于碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造的企業(yè)，具備從外延生長(zhǎng)、器件與模塊設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封測(cè)的全產(chǎn)業(yè)鏈能力。公司擁有國(guó)內(nèi)一流的6英寸產(chǎn)線設(shè)備和先進(jìn)的配套系統(tǒng)，可提供從工業(yè)級(jí)到車規(guī)級(jí)的SiC SBD、MOSFET全系列產(chǎn)品，廣泛覆蓋新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、充電樁、電力電網(wǎng)等領(lǐng)域。
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