職位描述
芯片設(shè)計(jì)器件開(kāi)發(fā)
職責(zé)描述：
1. 根據(jù)公司產(chǎn)品規(guī)劃和業(yè)務(wù)發(fā)展需求，負(fù)責(zé)SiC Mos和SBD設(shè)計(jì)，包括芯片結(jié)構(gòu)、電學(xué)參數(shù)和可靠性設(shè)計(jì)；
1. 根據(jù)公司產(chǎn)品規(guī)劃和業(yè)務(wù)發(fā)展需求，負(fù)責(zé)SiC Mos和SBD設(shè)計(jì)，包括芯片結(jié)構(gòu)、電學(xué)參數(shù)和可靠性設(shè)計(jì)；
2. 負(fù)責(zé)SiC Mos和SBD芯片開(kāi)發(fā)項(xiàng)目的立項(xiàng)，項(xiàng)目推進(jìn)和結(jié)項(xiàng)；
3. 負(fù)責(zé)與PIE、Fab溝通產(chǎn)品流片需求，與測(cè)試和可靠性工程師溝通測(cè)試需求；
4. 支持產(chǎn)品售前推廣，售后失效分析。
任職要求：
1. 學(xué)歷專業(yè)：碩士及以上學(xué)歷，電子、通信、微電子、物理等專業(yè)背景；
1. 學(xué)歷專業(yè)：碩士及以上學(xué)歷，電子、通信、微電子、物理等專業(yè)背景；
2. 工作經(jīng)驗(yàn)：碩士2年以上，本科4年以上相關(guān)經(jīng)驗(yàn)；
3. 知識(shí)技能：掌握功率器件IGBT、MOS、Diode等器件結(jié)構(gòu)原理，并有較深理解，掌握TCAD和版圖相關(guān)工具；基本掌握QC七大手法使用；
4. 素質(zhì)：良好的溝通協(xié)調(diào)能力和書(shū)面表達(dá)能力，良好文獻(xiàn)檢索能力，較強(qiáng)的分析和解決問(wèn)題能力；良好的英語(yǔ)讀、寫(xiě)能力，CET6及以上。
工作地點(diǎn)
江夏區(qū)長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體武漢有限公司-東1門(mén)
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長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體(武漢)有限公司長(zhǎng)飛先進(jìn)是一家專注于碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造的企業(yè)，具備從外延生長(zhǎng)、器件與模塊設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封測(cè)的全產(chǎn)業(yè)鏈能力。公司擁有國(guó)內(nèi)一流的6英寸產(chǎn)線設(shè)備和先進(jìn)的配套系統(tǒng)，可提供從工業(yè)級(jí)到車(chē)規(guī)級(jí)的SiC SBD、MOSFET全系列產(chǎn)品，廣泛覆蓋新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能、充電樁、電力電網(wǎng)等領(lǐng)域。
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