任職資格：
1. 本科及以上學歷，微電子科學與工程、材料科學與工程、電子信息工程等相關專業(yè)；碩士學歷優(yōu)先，有3年以上相關工作經(jīng)驗者可放寬學歷要求。
2. 具備以下任一核心經(jīng)驗：① 硅基電容（MIM/MOS）、集成無源器件（IPD）研發(fā)設計經(jīng)驗；② MLCC/薄膜電容等無源器件研發(fā)經(jīng)驗+半導體工藝背景；③ 晶圓廠光刻、蝕刻、薄膜沉積（CVD/PVD）等工藝開發(fā)經(jīng)驗。
3. 掌握高頻器件仿真工具和版圖設計工具，具備扎實的半導體工藝、電容工作原理等知識。
4. 熟悉高頻器件測試方法，能操作VNA（矢量網(wǎng)絡分析儀）、示波器、LCR測試儀等設備，具備失效分析（FA）相關經(jīng)驗者優(yōu)先。
5. 了解汽車電子、光通信、高性能計算等領域的無源應用需求，有相關行業(yè)產(chǎn)品經(jīng)驗者優(yōu)先。
6. 具備良好的溝通協(xié)調(diào)能力、問題解決能力，能承受一定工作壓力，有團隊協(xié)作精神。