崗位職責:
1.核心工藝開發(fā)與優(yōu)化:負責鈮酸鋰薄膜(LNOI)光芯片的微納加工核心工藝模塊的開發(fā)、優(yōu)化與固化,重點包括:電子束曝光的高分辨率光刻工藝;電感耦合等離子體干法刻蝕工藝;電子束蒸發(fā)等技術的金屬電極制備與剝離工藝。
2.工藝流程整合:參與設計并執(zhí)行從襯底到芯片的全流程工藝整合,確保各工藝步驟間的有效銜接與良率提升。
3.設備操作與維護:獨立操作并日常維護關鍵微納加工設備(如電子束曝光機、ICP刻蝕機、電子束蒸發(fā)臺等),保證設備穩(wěn)定運行。
4.芯片表征與數(shù)據(jù)分析:熟練使用SEM、AFM、臺階儀等表征設備對工藝結果進行檢測與分析,依據(jù)數(shù)據(jù)驅動工藝迭代和改進。
5.文檔與標準化:撰寫詳細的工藝操作規(guī)范(SOP)、實驗報告和技術文檔,建立和完善工藝知識庫。
6.跨部門協(xié)作:與設計、測試、封裝等團隊緊密合作,共同解決技術難題,推動芯片性能目標的實現(xiàn)。
任職要求:
1.學歷與經(jīng)驗:
碩士及以上學歷,微電子學、光學工程、物理電子學、材料科學與工程等相關專業(yè)。
應屆畢業(yè)生:要求在校期間具有微納加工工藝實踐或科研經(jīng)歷,博士研究生優(yōu)先。以鈮酸鋰、磷化銦或硅光為主要研究方向的候選人將獲得重點考慮。
社會招聘:要求2年及以上光芯片(如鈮酸鋰、硅光、III-V族)微納工藝研發(fā)或量產(chǎn)經(jīng)驗。
2.專業(yè)知識與技能:
必備經(jīng)驗:深刻理解微納加工基本原理,具備電子束曝光和干法刻蝕中至少一項的扎實實踐經(jīng)驗。
關鍵技能:具備以下一項或多項設備的實際操作經(jīng)驗者優(yōu)先:
光刻:電子束曝光、紫外光刻、深紫外光刻。
刻蝕:電感耦合等離子體刻蝕機。
薄膜沉積:電子束蒸發(fā)、磁控濺射等。
表征設備:掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡、臺階儀等。
材料專長:擁有鈮酸鋰薄膜材料加工經(jīng)驗者極具競爭力。熟悉其刻蝕特性、損傷閾值及退火活化等后處理工藝者更佳。
數(shù)據(jù)分析:能夠熟練使用專業(yè)軟件(如Origin, MATLAB, Python等)進行數(shù)據(jù)處理和分析,具備通過數(shù)據(jù)分析解決工藝問題的能力。