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崗位職責(zé):
1、主導(dǎo)或參與功率/保護(hù)元件（Power-MOSFET/SJ-MOS/SBD/ESD保護(hù)器/IGBT/GaN等）研發(fā)項(xiàng)目，負(fù)責(zé)新產(chǎn)品的工程開發(fā)與項(xiàng)目可行性分析;
2、功率/保護(hù)元件（Power-MOSFET/SJ-MOS/SBD/ESD保護(hù)器/IGBT/GaN等）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和仿真模擬;
3、與工廠進(jìn)行技術(shù)溝通，制定工藝流程、DOE方案、測(cè)試SPEC制定等;
4、根據(jù)需求進(jìn)行產(chǎn)品優(yōu)化升級(jí)、性能改善及良率提升；
5、掌握功率器件電性參數(shù)及可靠性測(cè)試方法，負(fù)責(zé)推進(jìn)組內(nèi)項(xiàng)目進(jìn)展，確保項(xiàng)目按計(jì)劃達(dá)成量產(chǎn)目標(biāo);
6、編制產(chǎn)品規(guī)格書；
7、對(duì)內(nèi)部、外部合作伙伴進(jìn)行產(chǎn)品、技術(shù)培訓(xùn)、指導(dǎo)；
任職要求:
1、大專及以上學(xué)歷，半導(dǎo)體或微電子相關(guān)專業(yè)或有半導(dǎo)體封裝/終端應(yīng)用技術(shù)/場(chǎng)效應(yīng)MOS管行業(yè)經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先，可以適當(dāng)放低學(xué)歷要求;
2、精通功率MOS類芯片設(shè)計(jì)與開發(fā)芯片工藝制造，熟悉外延層參雜濃度、晶體結(jié)構(gòu)控制，熟悉產(chǎn)品封裝工藝及產(chǎn)品應(yīng)用。