職位描述
元器件MOSFET晶圓設(shè)計研發(fā)封裝AutoCADSolidWorksPATHONWAFER制造工藝
詳細(xì)查看工作內(nèi)容：
晶圓研發(fā)：
1.負(fù)責(zé)根據(jù) MOSFET 器件的設(shè)計目標(biāo)（如閾值電壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度等），與代工廠合作制定或優(yōu)化工藝方案（如選擇工藝節(jié)點、調(diào)整摻雜濃度、柵極材料等）。確保器件設(shè)計與代工廠工藝能力（如光刻精度、蝕刻均勻性）匹配，解決工藝兼容性問題；
2.負(fù)責(zé)分析Wafer制造過程中的異常（如參數(shù)漂移、良率損失、可靠性失效），定位工藝步驟中的根源（如光刻偏移、刻蝕殘留、熱預(yù)算偏差等）。提出改進(jìn)方案（如調(diào)整退火溫度、優(yōu)化離子注入劑量），并通過 DOE（實驗設(shè)計）驗證效果；
3.負(fù)責(zé)與設(shè)計團(tuán)隊協(xié)作，平衡性能、功耗和可靠性（如優(yōu)化柵氧厚度、源漏工程）；
4.負(fù)責(zé)制定量產(chǎn)工藝的驗收標(biāo)準(zhǔn)（如參數(shù)分布范圍、失效閾值）；
5.負(fù)責(zé)建立并維護(hù)各fab及各平臺的工藝數(shù)據(jù)庫。
部門建設(shè)：
1.負(fù)責(zé)根據(jù) MOSFET 器件的設(shè)計目標(biāo)（如閾值電壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度等），與代工廠合作制定或優(yōu)化工藝方案（如選擇工藝節(jié)點、調(diào)整摻雜濃度、柵極材料等）。確保器件設(shè)計與代工廠工藝能力（如光刻精度、蝕刻均勻性）匹配，解決工藝兼容性問題；
2.負(fù)責(zé)分析Wafer制造過程中的異常（如參數(shù)漂移、良率損失、可靠性失效），定位工藝步驟中的根源（如光刻偏移、刻蝕殘留、熱預(yù)算偏差等）。提出改進(jìn)方案（如調(diào)整退火溫度、優(yōu)化離子注入劑量），并通過 DOE（實驗設(shè)計）驗證效果；
3.負(fù)責(zé)與設(shè)計團(tuán)隊協(xié)作，平衡性能、功耗和可靠性（如優(yōu)化柵氧厚度、源漏工程）；
4.負(fù)責(zé)制定量產(chǎn)工藝的驗收標(biāo)準(zhǔn)（如參數(shù)分布范圍、失效閾值）；
5.負(fù)責(zé)建立并維護(hù)各fab及各平臺的工藝數(shù)據(jù)庫。
部門建設(shè)：
1.新員工培訓(xùn)、培養(yǎng)，員工新技能的開發(fā)及培養(yǎng)，培養(yǎng)資料整理優(yōu)化；
2.部門流程制度的建設(shè)、完善、優(yōu)化以及監(jiān)督實施；
3.部門輸出文件的標(biāo)準(zhǔn)化，統(tǒng)一性持續(xù)改善。
其他方面：
2.部門流程制度的建設(shè)、完善、優(yōu)化以及監(jiān)督實施；
3.部門輸出文件的標(biāo)準(zhǔn)化，統(tǒng)一性持續(xù)改善。
其他方面：
1.參與設(shè)計研發(fā)數(shù)據(jù)庫的建立；
2.對研發(fā)項目過程中的創(chuàng)新點，撰寫專利，進(jìn)行保護(hù)。
詳細(xì)查看任職要求：2.對研發(fā)項目過程中的創(chuàng)新點，撰寫專利，進(jìn)行保護(hù)。
5年以上半導(dǎo)體Fab PIE經(jīng)驗，專注于功率器件（如MOSFET, IGBT）制造者優(yōu)先。
深入掌握光罩技術(shù)： 深刻理解光罩設(shè)計規(guī)則、材料選擇、制造工藝及質(zhì)量控制標(biāo)準(zhǔn)，并精通其對功率器件關(guān)鍵電性參數(shù)（Vth, Ron, BVdss, Qg, 可靠性）和良率的影響機(jī)制。
精通光刻關(guān)鍵步驟： 熟練掌握光刻工藝（特別是與光罩應(yīng)用相關(guān)的部分，如成像、OPC效應(yīng)）及刻蝕工藝（干法/濕法），理解其對器件結(jié)構(gòu)形成和電學(xué)特性的決定性作用。
強大的分析與解決問題能力： 具備獨立分析和解決由光罩、光刻或刻蝕引起的制程異常和器件性能/良率問題的能力，能運用系統(tǒng)性方法（如8D, DOE）進(jìn)行根本原因分析和制定有效CAPA。
良好的溝通協(xié)作能力： 能夠有效與光刻模塊、刻蝕模塊、整合工程師、器件設(shè)計團(tuán)隊及外部光罩供應(yīng)商進(jìn)行溝通協(xié)作。
深入掌握光罩技術(shù)： 深刻理解光罩設(shè)計規(guī)則、材料選擇、制造工藝及質(zhì)量控制標(biāo)準(zhǔn)，并精通其對功率器件關(guān)鍵電性參數(shù)（Vth, Ron, BVdss, Qg, 可靠性）和良率的影響機(jī)制。
精通光刻關(guān)鍵步驟： 熟練掌握光刻工藝（特別是與光罩應(yīng)用相關(guān)的部分，如成像、OPC效應(yīng)）及刻蝕工藝（干法/濕法），理解其對器件結(jié)構(gòu)形成和電學(xué)特性的決定性作用。
強大的分析與解決問題能力： 具備獨立分析和解決由光罩、光刻或刻蝕引起的制程異常和器件性能/良率問題的能力，能運用系統(tǒng)性方法（如8D, DOE）進(jìn)行根本原因分析和制定有效CAPA。
良好的溝通協(xié)作能力： 能夠有效與光刻模塊、刻蝕模塊、整合工程師、器件設(shè)計團(tuán)隊及外部光罩供應(yīng)商進(jìn)行溝通協(xié)作。
獎金績效
年終獎
工作地點
西安未央?yún)^(qū)華羿微電子股份有限公司
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職位發(fā)布者
張培培/招聘專員
三日內(nèi)活躍立即溝通
華羿微電子股份有限公司華羿微電子股份有限公司成立于2017年6月28日，位于西安經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)草灘生態(tài)產(chǎn)業(yè)園，占地面積200.775畝。企業(yè)注冊資本4.1億元，天水華天電子集團(tuán)股份有限公司是公司的控股股東，持有公司88.46%的股權(quán)。華天電子集團(tuán)的產(chǎn)品現(xiàn)有塑封集成電路、半導(dǎo)體功率器件、模擬/混合集成電路、電源模塊、集成壓力傳感器/變送器、半導(dǎo)體封裝設(shè)備/模具、半導(dǎo)體包裝材料、MEMS、LED等9大系列1000多個品種。產(chǎn)品應(yīng)用于智能移動終端、消費類電子、工業(yè)控制、新能源汽車、節(jié)能環(huán)保、信息安全等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)及航空航天各個領(lǐng)域，集團(tuán)的半導(dǎo)體產(chǎn)品年生產(chǎn)能力達(dá)到240億只。華羿微電子主要從事汽車級功率器件與模塊封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，依托于集團(tuán)公司，在市場銷售、技術(shù)開發(fā)及人才支撐、管理機(jī)制和基礎(chǔ)設(shè)施等方面，具有領(lǐng)先優(yōu)勢。公司以高新技術(shù)為核心，致力于電子元器件國產(chǎn)化的設(shè)計研發(fā)、制造、封測與銷售，發(fā)展成為一家準(zhǔn)IDM公司。經(jīng)過不懈努力，現(xiàn)已成為從事中高壓大功率場效應(yīng)管（MOSFET）及電源管理IC等功率器件和模擬集成電路的設(shè)計研發(fā)、制造、封測和銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè)。公司擁有強大的研發(fā)與設(shè)計團(tuán)隊，產(chǎn)品技術(shù)和工藝目前處于國內(nèi)同行業(yè)領(lǐng)先水平，產(chǎn)品可與國際著名電子公司同類產(chǎn)品相互替代。同時公司擁有先進(jìn)的產(chǎn)線設(shè)備、完整的檢測中心，嚴(yán)格的專人專項管理，保障了產(chǎn)品的高一致性和高可靠性。公司以“優(yōu)良的品質(zhì)，高效的服務(wù)”為指導(dǎo)思想，以市場需求為已任，技術(shù)不斷創(chuàng)新，產(chǎn)能不斷增加，以滿足國內(nèi)外客戶的批量訂單。隨著華羿微電子的不斷壯大，公司已在無錫、天津、徐州、成都設(shè)立了辦事處，在深圳指定了專業(yè)代理商，以便為客戶提供更快更直接的服務(wù)。工業(yè)強則國強，華羿以“為客戶創(chuàng)造更高價值”為發(fā)展理念，投入更大精力，更多財力，致力于電子行業(yè)的縱深研發(fā)，為滿足客戶日新月異發(fā)展的需求做好準(zhǔn)備，使得華羿微電子與客戶之間有更深層更廣域的精誠合作，攜手共同成長。
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