核心職責(zé):
1. 射頻電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計:
負(fù)責(zé)半導(dǎo)體級射頻電源(典型頻率 13.56MHz, 27MHz, 40MHz, 60MHz等)的整體系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計,包括功率級拓?fù)洌ㄈ鏑lass D, E, F, 或LLC等)、匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計、控制回路架構(gòu)等。
深入理解并優(yōu)化射頻電源在復(fù)雜等離子體負(fù)載下的動態(tài)響應(yīng)特性、穩(wěn)定性、效率及輸出精度(功率/電壓/電流)。
定義關(guān)鍵性能指標(biāo)(KPIs)如功率穩(wěn)定性、頻率精度、諧波失真、效率、可靠性等,并主導(dǎo)實(shí)現(xiàn)方案。
2. 核心算法研究與開發(fā):
設(shè)計、開發(fā)并優(yōu)化射頻電源的核心控制算法,包括但不限于: 高級阻抗匹配算法 (自動匹配網(wǎng)絡(luò)調(diào)諧)。高精度、高速的功率/電壓/電流閉環(huán)控制算法 (如自適應(yīng)PID、模型預(yù)測控制MPC等)。
等離子體狀態(tài)監(jiān)測與診斷算法(如V/I相位檢測、諧波分析、穩(wěn)定性監(jiān)控)。 抗干擾算法及故障保護(hù)策略。負(fù)責(zé)算法的仿真(如MATLAB/Simulink, PLECS)
3. 技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)與項目管理:
組建、領(lǐng)導(dǎo)和管理射頻電源研發(fā)技術(shù)團(tuán)隊,明確技術(shù)路線,分配任務(wù),指導(dǎo)團(tuán)隊成員工作。
主導(dǎo)射頻電源相關(guān)研發(fā)項目的規(guī)劃、執(zhí)行、風(fēng)險管控與交付,確保項目按時按質(zhì)達(dá)成目標(biāo)。
負(fù)責(zé)關(guān)鍵技術(shù)難題的攻關(guān)與解決。
4. 跨部門協(xié)作與產(chǎn)品化:
與硬件(功率器件、高頻磁元件、PCB設(shè)計)、軟件(嵌入式、上位機(jī))、工藝應(yīng)用等團(tuán)隊緊密協(xié)作,確保系統(tǒng)設(shè)計與算法方案的工程可實(shí)現(xiàn)性及與半導(dǎo)體工藝需求的完美匹配。
主導(dǎo)或深度參與射頻電源樣機(jī)的設(shè)計、調(diào)試、測試驗(yàn)證(實(shí)驗(yàn)室及客戶端現(xiàn)場)。支持產(chǎn)品轉(zhuǎn)產(chǎn),解決量產(chǎn)過程中的技術(shù)問題。
5. 任職要求:
電子工程、微電子等相關(guān)專業(yè)碩士及以上學(xué)歷。
碩士5年以上射頻電源研發(fā)經(jīng)驗(yàn),深刻理解射頻功率放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)原理及設(shè)計。
精通半導(dǎo)體制造設(shè)備(如刻蝕機(jī)、PVD、CVD、離子注入等)中射頻電源的應(yīng)用場景、技術(shù)挑戰(zhàn)及性能要求。
豐富的射頻電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計經(jīng)驗(yàn),能獨(dú)立完成從規(guī)格定義到架構(gòu)選型、關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計。
在射頻電源核心控制算法(如阻抗匹配、高精度功率控制、穩(wěn)定性控制)方面有成功的設(shè)
計、實(shí)現(xiàn)與優(yōu)化經(jīng)驗(yàn)。熟練掌握相關(guān)仿真工具。
深入理解高頻功率器件、高頻磁元件(變壓器、電感)、射頻測量技術(shù)。
有國內(nèi)外射頻電源供應(yīng)商(如MKS, AE,英杰,廣能達(dá))相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。
在等離子體物理或等離子體與射頻功率耦合、射頻電源方面有深入研究或經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。