一、任職要求:
1.學(xué)歷:碩士及以上學(xué)歷,微電子、光學(xué)工程、物理、材料等相關(guān)專業(yè)。
2.工作經(jīng)驗:
1)5 年以上半導(dǎo)體晶圓廠光刻工藝經(jīng)驗。
2)具備 40nm 及以下節(jié)點高深寬比結(jié)構(gòu)(Contact/Via/hole)光刻開發(fā)經(jīng)驗。
3)有 OPC 和刻蝕工藝經(jīng)驗者優(yōu)先考慮。
3.具備能力:
1) 具備 DOE 實驗設(shè)計及統(tǒng)計分析能力。
2) 具備較強的邏輯分析和溝通能力。
二、崗位職責:
1.
高深寬比結(jié)構(gòu)光刻工藝開發(fā)
1)主導(dǎo) 40nm 及以下節(jié)點的高深寬比的 Contact/Via/Hole 光刻工藝研發(fā)。
2)設(shè)計 DOE 實驗,優(yōu)化光刻工藝窗口。
3)跨部門協(xié)同刻蝕/薄膜等團隊解決圖形轉(zhuǎn)移系統(tǒng)性問題。
2.
OPC 協(xié)同開發(fā)
1)與設(shè)計團隊合作,負責 OPC 數(shù)據(jù)分析,OPC 模型建立及驗證,OPC 程序建立及持續(xù)改進。