1.負(fù)責(zé)器件物理設(shè)計與仿真：基于磁電、光電、電容式和電感式的物理原理，設(shè)計各種核心敏感傳感器，如角度/位置傳感器、壓力傳感器、MEMS傳感器等；運(yùn)用多物理場仿真工具，對傳感器進(jìn)行電磁、光學(xué)、熱力學(xué)和機(jī)械仿真，預(yù)測關(guān)鍵性能；設(shè)計傳感器微納結(jié)構(gòu)和版圖，優(yōu)化幾何參數(shù)；
2.負(fù)責(zé)工藝開發(fā)與制造協(xié)同：主導(dǎo)制造工藝路線的定義與開發(fā)；針對特定工藝（CMOS工藝集成磁阻，MEMS工藝）設(shè)計工藝方案；制定傳感器的關(guān)鍵工藝控制參數(shù)，跟進(jìn)試流片；
3.負(fù)責(zé)測試表征和性能驗證：建立器件級測試方案與平臺，進(jìn)行全面的靜態(tài)與動態(tài)性能表征；進(jìn)行環(huán)境與可靠性測試；
4.負(fù)責(zé)系統(tǒng)集成與協(xié)同設(shè)計：與AFE SOC構(gòu)架師和算法工程師協(xié)作，提供精準(zhǔn)的器件電學(xué)模型、誤差模型和噪聲模型；參與系統(tǒng)級誤差分配，從源頭提出優(yōu)化建議；支持封裝設(shè)計，確保封裝對性能影響最小；
5.提供傳感器測試方案、開發(fā)文檔編制；
3.產(chǎn)品疑難技術(shù)問題分析及解決。

職位要求

1.微電子學(xué)、物理學(xué)、材料科學(xué)與工程、精密儀器、MEMS等專業(yè)本科以上學(xué)歷，五年以上傳感器核心器件相關(guān)工作經(jīng)驗；
2.深厚的物理與材料集成，理解磁阻效應(yīng)、霍爾效應(yīng)等物理機(jī)制；熟悉相關(guān)傳感器功能材料，能夠獨立完成傳感器產(chǎn)品開發(fā)、關(guān)鍵生產(chǎn)工藝制定；
3.具備較強(qiáng)的設(shè)計與仿真能力：精通COMSOL多物理場、ANSYS Maxwell和類似TCAD仿真工具；
4.掌握工藝與制造知識：具備半導(dǎo)體工藝和MEMS工藝的扎實知識，了解光刻刻蝕等工藝步驟；有與代工廠合作的實際經(jīng)驗；
5.具備精湛的測試與分析能力，較強(qiáng)的動手和解決問題能力；有系統(tǒng)思維與協(xié)作精神，嚴(yán)謹(jǐn)耐心，創(chuàng)新思維；
6.有成功流片經(jīng)驗、跨領(lǐng)域知識和TMR/AMR/GMR磁阻開發(fā)經(jīng)驗者優(yōu)先。