【崗位職責(zé)】
1、負(fù)責(zé)寬禁帶功率器件MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與仿真;
2、負(fù)責(zé)功率半導(dǎo)體器件/新材料相關(guān)技術(shù)的調(diào)研及研究;
3、負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)平臺(tái)的搭建及新技術(shù)專利的撰寫。
任職要求:
1、負(fù)責(zé)寬禁帶功率器件MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與仿真;
2、負(fù)責(zé)功率半導(dǎo)體器件/新材料相關(guān)技術(shù)的調(diào)研及研究;
3、負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)平臺(tái)的搭建及新技術(shù)專利的撰寫。
【崗位亮點(diǎn)】
1.博士后平臺(tái)支持:公司設(shè)立博士后科研工作站,提供國(guó)家級(jí)科研平臺(tái)與進(jìn)
站機(jī)會(huì);
2.前沿技術(shù)合作:長(zhǎng)期與國(guó)內(nèi)外頂尖高校及行業(yè)專家開(kāi)展技術(shù)合作與交流;
3.系統(tǒng)化研發(fā)機(jī)制:成熟的技術(shù)預(yù)研體系、高效產(chǎn)品轉(zhuǎn)化流程與跨職能項(xiàng)目
協(xié)作機(jī)制;
4.雙通道晉升:技術(shù)與管理雙向發(fā)展路徑,支持個(gè)人成長(zhǎng)與職業(yè)突破。
【福利待遇】
1.人才補(bǔ)貼:符合進(jìn)站條件的博士后可申報(bào)生活與住房補(bǔ)貼60-100萬(wàn)元;
2.全面薪酬:月薪+年終獎(jiǎng)+季度獎(jiǎng)+項(xiàng)目獎(jiǎng)金+專利獎(jiǎng),提供極具競(jìng)
爭(zhēng)力的整體收入;
3.完善福利:五險(xiǎn)一金、過(guò)渡住房、雙休工作制、補(bǔ)充商業(yè)保險(xiǎn)、年度體檢
節(jié)日福利、旅游團(tuán)建、婚育賀禮等;
4.落戶支持:協(xié)助辦理廣州市落戶,符合政策的博士員工均可申請(qǐng);
5.科研資源:支持申報(bào)國(guó)家自然科學(xué)基金等科研項(xiàng)目,提供實(shí)驗(yàn)資源與學(xué)術(shù)
交流機(jī)會(huì):
6.發(fā)展機(jī)制:“雙通道”晉升體系,助力技術(shù)專家或管理方向長(zhǎng)期發(fā)展。