崗位職責(zé):
1.主導(dǎo)硅基電容或IPD(集成無源器件)的產(chǎn)品開發(fā),不限于設(shè)計仿真、工藝實現(xiàn)、測試驗證等方面;
2.聚焦攻克寬頻電容、高密度電容、低損耗傳輸線等核心技術(shù)難題,實現(xiàn)產(chǎn)品性能突破與技術(shù)升級;
3.設(shè)計并驗證薄膜沉積(CVD/PVD)、光刻、蝕刻等核心工藝方案,解決工藝穩(wěn)定性、均勻性及良率問題;
4.構(gòu)建工藝-器件-性能的關(guān)聯(lián)模型,通過DOE實驗和數(shù)據(jù)分析持續(xù)優(yōu)化工藝窗口,為產(chǎn)品提供高競爭力的解決方案。
任職要求:
1.碩士及以上學(xué)歷,電子信息等理工科專業(yè);
2.5年以上硅電容或IPD產(chǎn)品(集成無源器件)的開發(fā)經(jīng)驗,精通產(chǎn)品工作原理、性能特點和相關(guān)技術(shù),具備解決該產(chǎn)品技術(shù)問題的能力;
3.具有專利和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化者優(yōu)先錄用;
4.如工作經(jīng)驗豐富,可適當(dāng)放寬學(xué)歷要求。