軟通外包小米芯片硬件測(cè)試項(xiàng)目JD要求---兩工作地都在招
工作地點(diǎn):西安高新區(qū)天谷八路211號(hào)環(huán)普三期11層C區(qū)
工作地點(diǎn):上海浦東新區(qū)5G未來(lái)中心(想去上海也可投)
DDR測(cè)試 MIPI CDPHY TX/RX測(cè)試缺人兒
單板測(cè)試(1).各類信號(hào)時(shí)序、信號(hào)質(zhì)量測(cè)試
2-6年,晚八后算加班費(fèi) 周末加班費(fèi) 加班的車(chē)補(bǔ) 餐補(bǔ)
學(xué)信網(wǎng)可查統(tǒng)招全日本科優(yōu)先,大專也行
1, 通信、自動(dòng)化、電子、物理等相關(guān)專業(yè)本科以上學(xué)歷 ;具有良好的數(shù)字電路、模擬電路、通信原理、芯片原理等專業(yè)理論基礎(chǔ);
2, 有下列至少一個(gè)測(cè)試方向上一個(gè)IP的測(cè)試經(jīng)驗(yàn):
**高速接口測(cè)試方向:MIPI,DDR,UFS,PCIE等高速信號(hào);
**低速接口測(cè)試方向:I2C、I3C、SPI、I2S等低速信號(hào);
**內(nèi)部IP測(cè)試方向:ADC、DAC、PLL、Serdes等數(shù)?;旌螴P;
**數(shù)模IP:熟悉一個(gè)IP就行:MIPI,DDR,UFS,PCIE等高速信號(hào)接口協(xié)議;BUCK,LDO,BUCK-BOOST,Charger等電源模塊的性能和功能測(cè)試。
**電源套片測(cè)試方向:BUCK,LDO,BUCK-BOOST,Charger等電源模塊;
**PI&ST 硅后驗(yàn)證:做過(guò)電源模塊測(cè)試性能和功能的都可以推薦
**芯片硬件測(cè)試:功能壓測(cè)方向:具備一定的測(cè)試自動(dòng)化腳本開(kāi)發(fā)能力(如Python),有相關(guān)項(xiàng)目交付經(jīng)驗(yàn);
***DFT設(shè)計(jì)2年:搜尋芯片流片前后DFT設(shè)計(jì)
3, 了解并掌握上述至少一個(gè)測(cè)試方向上一個(gè)IP的SI、PI、眼圖、電源、功耗、穩(wěn)定性等測(cè)試原理和方法,可以熟練使用相關(guān)電子測(cè)量?jī)x器(如示波器,相噪儀、頻譜儀、Bert等);
4, 三年或以上芯片或硬件測(cè)試經(jīng)驗(yàn),有芯片原廠AE、硅后驗(yàn)證、EVB研發(fā)測(cè)試工作經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先,具備測(cè)試自動(dòng)化腳本開(kāi)發(fā)能力者優(yōu)先;
5, 熱愛(ài)并認(rèn)可芯片測(cè)試工作,自我驅(qū)動(dòng)力強(qiáng),細(xì)致認(rèn)真,責(zé)任感強(qiáng),動(dòng)手能力強(qiáng),善于溝通交流,較好的團(tuán)隊(duì)合作精神。
硅后驗(yàn)證PI&ST
職責(zé):
負(fù)責(zé)芯片硅后驗(yàn)證(Bench/EVB test)相關(guān)工作
1、能理解測(cè)試策略、測(cè)試方案和測(cè)試用例,能根據(jù)安排的測(cè)試計(jì)劃對(duì)芯片獨(dú)立完成至少一個(gè)方向上一個(gè)IP的測(cè)試工作(測(cè)試方向詳見(jiàn)任職要求第2點(diǎn));
2、反饋測(cè)試發(fā)現(xiàn)的問(wèn)題,參與測(cè)試問(wèn)題的復(fù)現(xiàn)和回歸,提交測(cè)試問(wèn)題單并跟蹤問(wèn)題單閉環(huán);
3、負(fù)責(zé)測(cè)試數(shù)據(jù)整理和分析,輸出測(cè)試報(bào)告;
以上崗位是流片回來(lái)的芯片測(cè)試,基帶測(cè)試可投,不匹配的崗位勿投:(射頻fae測(cè)試、fpga測(cè)試、數(shù)字IC驗(yàn)證等等)