深圳市朗帥科技有限公司于2014年5月19日成立，注冊(cè)資本2000萬(wàn)；在2018年獲得國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)證，于2023年取得國(guó)家專精特新企業(yè)認(rèn)證。已獲授權(quán)發(fā)明專利、實(shí)用新型、軟件設(shè)計(jì)等專利52項(xiàng)，涉足并歷經(jīng)進(jìn)口國(guó)際品牌分銷、國(guó)產(chǎn)品牌代理及方案推廣、功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)及銷售等全鏈條運(yùn)營(yíng)；公司運(yùn)營(yíng)總部位于深圳，在武漢、合肥、常州、寧波、溫州、香港等地設(shè)有辦事處。勵(lì)志于成為半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)計(jì)行業(yè)國(guó)際知名的民族自主品牌，助力信息社會(huì)發(fā)展。

2018年成立朗帥華晶事業(yè)部，立足于功率半導(dǎo)體元器件研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試及銷售，公司產(chǎn)品包括 Trench MOS/SGT MOS/Super Junction MOS/ Planar MOS等系列產(chǎn)品。公司布局第三代半導(dǎo)體碳化硅：專精于深溝槽式SiC領(lǐng)域的研發(fā)設(shè)計(jì)，攜手國(guó)內(nèi)外一線的功率器件晶圓及封測(cè)廠商，以客戶需求為導(dǎo)向定制功率器件，并提供變頻、電動(dòng)主驅(qū)整體解決方案。產(chǎn)品有SiC MOS、IGBT單管、IPM智能功率模塊、IGBT模塊等全線覆蓋；公司瞄準(zhǔn)第四代半導(dǎo)體氧化鎵的技術(shù)方向。公司科研人員在產(chǎn)品研發(fā)設(shè)計(jì)和行業(yè)銷售方面具有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，立足于通用型器件設(shè)計(jì)，并著眼前沿技術(shù)研發(fā)，配有專業(yè)AE/FAE團(tuán)隊(duì)，提供產(chǎn)品驗(yàn)證和客戶支持。

目前產(chǎn)品廣泛應(yīng)用三大塊，消費(fèi)類電子、新能源、工業(yè)控制類。